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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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TLE9189QVW

产品说明:用于 12V BLDC 电机的 MOTIX™ TLE9189栅极驱动器 IC

封装:VQFN-48
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S28HS02GTFPBHV153

产品说明:SEMPER™ NOR闪存芯片

封装:BGA-24
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S28HS02GTFPBHV150

产品说明:SEMPER™ NOR闪存芯片

封装:BGA-24
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25FS128SAGNFB103

产品说明:高性能NOR闪存芯片

封装:WSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S25FS128SAGNFB100

产品说明:高性能NOR闪存芯片

封装:SOIC-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISA250300C04LMDS

产品说明:40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管

封装:DSO-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISA250250N04LMDS

产品说明:40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管

封装:DSO-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISA220280C03LMDS

产品说明:30V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管

封装:DSO-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISA170230C04LMDS

产品说明:40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管

封装:DSO-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISA170170N04LMDS

产品说明:40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 晶体管

封装:DSO-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ISA150233C03LMDS

产品说明:30V OptiMOS™ N+P 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:DSO-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE036N08NM6SC

产品说明:N 沟道 OptiMOS™ 6 MOSFET 晶体管

封装:PG-TTFN-9
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE036N08NM6CG

产品说明:N 沟道 OptiMOS™ 6 MOSFET 晶体管

封装:PG-TTFN-9
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE057N10NM6CGSC

产品说明:100V N 沟道 OptiMOS™ 6 MOSFET 晶体管

封装:WHTFN-9
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQFH61N06NM5

产品说明:1200V,EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFET 半桥模块

封装:PG-TSON-12
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC120N06S5N032

产品说明:60V N 沟道汽车 MOSFET 晶体管

封装:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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