IQE036N08NM6CG 是 N 沟道 OptiMOS™ 6 MOSFET 晶体管。
IQE036N08NM6CG 的规格
晶体管极性:N 沟道
通道模式:增强
产品类型:MOSFET
IQE036N08NM6CG 的特性
N 沟道、正常电平
极低导通电阻 Rps(on)
出色的栅极电荷 X Ros(导通)乘积(FOM)
极低的反向恢复电荷 (Qr)
雪崩能量等级高
针对高频开关和同步整流进行了优化
无铅电镀;符合 RoHS 规范
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…FP75R12KT4-B16
FP75R12KT4-B16 是英飞凌推出的 IGBT 功率模块,属于 EconoPIM™ 3 系列,采用 三相反相器配置,适用于 工业电机驱动、变频器、UPS 电源 等高功率应用。FP75R12KT4B16
FP75R12KT4B16 是英飞凌推出的 IGBT 功率模块,属于 EconoPIM™ 3 系列,采用 三相反相器配置,适用于 工业电机驱动、变频器、UPS 电源 等高功率应用。F3L600R10W4S7F-C22
F3L600R10W4S7F-C22 带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和 CoolSiC™ 肖特基二极管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK™ 模块特征• 电气特性- VCES = 950 V- IC 标称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二极管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C• 机械特性- CTI >FF900R17ME7-B11
FF900R17ME7-B11搭载TRENCHSTOP™ IGBT7 第七代发射极控制二极管、NTC、PressFIT压接技术,还可预涂热界面材料(TIM)。FF900R17ME7-B11具有最高功率密度,出类拔萃的VCE,sat,过载时Tvj op = 175C,优化开关损耗,增强dv/dt可控性,改善二极管软度和Erec损耗,增强对宇宙…FF600R12ME7-B11
FF600R12ME7-B11 是 EconoDUAL™3 模块,带有 TRENCHSTOP™IGBT7 和发射极受控 7 二极管和 NTC。特点电气特性VCES = 1200 VIC 额定值 = 600 A / ICRM = 1200 A集成温度传感器Trenchstoptm IGBT7正温度系数 VCEsat机械特性高功率密度隔离底板PressFIT 触点技术标准外壳潜在…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: