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IQE057N10NM6CGSC 是 100V N 沟道 OptiMOS™ 6 MOSFET 晶体管。

IQE057N10NM6CGSC 的规格

晶体管极性：N 沟道

通道数：1 通道

Vds - 漏极-源极击穿电压：100 V

Id - 持续漏极电流：98 A

Rds On - 漏极-源极电阻：5.7 mOhms

Vgs - 栅极源极电压：- 20 V，+ 20 V

Vgs th - 栅极-源极阈值电压：3.3 V

Qg - 栅极电荷：26 nC

最低工作温度：- 55 C

最高工作温度：+ 175 C

Pd - 功率耗散：125 W

通道模式：增强

下降时间：4.6 ns

产品类型：MOSFET

上升时间：1.9 ns

典型关断延迟时间：12 ns

典型导通延迟时间：5.6 ns

IQE057N10NM6CGSC 的特性

N 沟道、正常电平

极低导通电阻 Rps(on)

出色的栅极电荷 X Ros（导通）乘积（FOM）

极低的反向恢复电荷 (Qr)

雪崩能量等级高

175°C 工作温度

针对高频开关和同步整流进行了优化

无铅电镀；符合 RoHS 规范

无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准

符合 J-STD-020 的 MSL 1 级标准

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。