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产品说明：表面贴装型 N 通道 50 V 410A（Ta） 375W（Ta） LFPAK88（SOT1235）
封装：LFPAK88
产品说明：表面贴装型 N 通道 80 V 170A（Ta） 294W（Ta） LFPAK56，Power-SO8
封装：LFPAK56
产品说明：表面贴装型 N 通道 55 V 330A（Ta） 375W（Ta） LFPAK88（SOT1235）
封装：LFPAK88
产品说明：通孔 N 通道 650 V 34.5A（Ta） 143W（Ta） TO-247-3
封装：TO-247-3
产品说明：通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封装：TO-247-3
产品说明：能量收集 PMIC 16-HWQFN（3x3）
封装：HWQFN-16
产品说明：650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装：DFN8080-8
产品说明：650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET，采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装：DFN5060-5
产品说明：650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET，采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装：DFN5060-5
产品说明：150 V、7 mOhm 氮化镓 (GaN) FET，采用 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 陆栅阵列 (LGA) 封装
封装：FCLGA-3
产品说明：650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装：DFN8080-8
产品说明：650 V、80 mOhm 氮化镓 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装：DFN8080-8
产品说明：100 V、3.2 mOhm 氮化镓 (GaN) FET，采用 3.5 mm x 2.13 mm 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)
封装：WLCSP-8
产品说明：IGBT 沟槽型场截止 600 V 75 A 285 W 通孔 TO247-3L
封装：TO-247-3L
产品说明：表面贴装型 P 通道 60V 25A（Ta） 66W（Ta） LFPAK56，Power-SO8
封装：LFPAK56
产品说明：表面贴装型 N 通道 40V 6A（Ta），18A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） DFN2020MD-6
封装：6-UDFN电话咨询：86-755-83294757
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