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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

品牌:

不限 Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

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操作

PAFSC5G35E37R9
NXP

产品说明:5G/LTE 功率放大器模块,专为 5G 和 LTE 通信设备设计

封装:HLQFN-26
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TJA1043T
NXP

产品说明:具备待机和睡眠模式的高速CAN收发器

封装:SOP-14
10起
40000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGHU30M65DF2AG
ST

产品说明:650 V、30 A车规级沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

封装:HU3PAK-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60V60DF
ST

产品说明:600 V、60 A超高速沟槽栅场截止IGBT

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60H65DFB
ST

产品说明:650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA40M120DF3
ST

产品说明:1200 V、40 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW8M120DF3
ST

产品说明:1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40H65DFB
ST

产品说明:650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40H120DF2
ST

产品说明:1200 V、40 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW30V60DF
ST

产品说明:600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW10M65DF2
ST

产品说明:沟槽栅场截止IGBT晶体管,M系列,650 V、10 A,低损耗

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW30NC120HD
ST

产品说明:N沟道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 单管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32G051G8U3
ST

产品说明:主流型ARM® Cortex®-M0+ STM32C0 微控制器

封装:28-UFQFPN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32C051K8U6
ST

产品说明:主流型ARM® Cortex®-M0+ STM32C0 微控制器

封装:32-UFQFPN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32C051K8T6
ST

产品说明:主流型ARM® Cortex®-M0+ STM32C0 微控制器

封装:32-LQFP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32C051C8U6
ST

产品说明:主流型ARM® Cortex®-M0+ STM32C0 微控制器

封装:48-UFQFPN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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