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STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A车规级沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，其采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。其功能和技术规格如下：

功能

符合AEC-Q101标准

最高结温：TJ = 175 °C

最短短路耐受时间为6 μs

VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 30 A

参数分布紧凑

安全并联

低热阻

超快软恢复反向并联二极管

通过额外的驱动kelvin引脚实现出色的开关性能

技术规格

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：84 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：441 W

开关能量：210µJ（导通），1.147mJ（关断）

输入类型：标准

栅极电荷：90 nC

25°C 时 Td（开/关）值：22ns/151ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：223 ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：HU3PAK-7

STGHU30M65DF2AG适用于以下各种场景中，包括：

• 汽车电机控制

• 电子压缩机

• 工业电机控制

• 电源和转换器

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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