STGWA60H65DFB是一种650 V、60 A的高速沟槽栅场截止IGBT器件，其采用先进的专有沟栅场运算结构开发，旨在实现传导和开关损耗之间的最佳折衷，以提高任何变频器的效率。其技术规格和典型应用如下：
技术规格
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，60A
功率 - 最大值：375 W
开关能量：1.59mJ（导通），900µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：306 nC
25°C 时 Td（开/关）值：66ns/210ns
测试条件：400V，60A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：60 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
典型应用
STGWA60H65DFB IGBT广泛应用于以下领域：
太阳能逆变器：适用于串行和中心式太阳能逆变器
交流直流转换器（AC-DC converter）：用于高效电力转换
这些应用领域得益于STGWA60H65DFB的高效率、低损耗和可靠的并联运行特性。
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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