BSM600D12P4G103是一款由SiC-DMOSFET组成的半桥功率模块。非常适用于电机驱动、逆变器、转换器、光伏发电、风力发电和IH设备等应用。
BSM600D12P4G103具有以下参数：
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 N-通道（双）
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：567A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 291.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：59000pF @ 10V
功率 - 最大值：1.78kW（Tc）
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
型号
品牌
封装
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描述
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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一，总部所在地设在日本京都市，ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
BU97520AKV-ME2
BU97520AKV-ME2是一款 1/4 或 1/3 Duty 通用 LCD 驱动器。
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RGA80TSX2EHRC11
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BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC，非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。该器件集成了650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。特性：Nano CAP™集成输出可选5V LDO为工业应用提供长期支持产品宽工作范围，适用于VDD 引脚电压IN引脚电压的宽工…电话咨询：86-755-83294757
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