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IPB026N10NF2S 是一款100V，StrongIRFET ™ 2 单 N沟道功率 MOSFET晶体管，采用 D²PAK 封装，产品详情如下所示：

型号：IPB026N10NF2S

封装：PG-TO263-3（D²PAK）

类型：N-通道功率MOSFET

应用：适用于轻型电动车解决方案

规格参数：

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 162 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 103 nC

最小工作温度: - 55 ℃

最大工作温度: + 175 ℃

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

下降时间: 26 ns

正向跨导 - 最小值: 104 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 65 ns

典型关闭延迟时间: 47 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

IPB026N10NF2S 产品特性：

卓越的性价比

适用于高和低开关频率

行业标准尺寸封装

高额定电流

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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