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【IPB035N12NM6】120V，OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET，正常电平，采用 D²PAK 3 引脚封装。

说明：

IPB035N12NM6 是 D²PAK 3 针封装的正常级别 120 V MOSFET，导通电阻为 3.5 mOhm。IPB035N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

IPB035N12NM6 规格参数：

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-通道

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 120 V

Id-连续漏极电流: 138 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V

Qg-栅极电荷: 58 nC

最小工作温度: - 55℃

最大工作温度: + 175℃

Pd-功率耗散: 246 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 12.8 ns

正向跨导 - 最小值: 65 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 14.1 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 24.1 ns

典型接通延迟时间: 15.5 ns

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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