NVMJST1D4N06CLTXG汽车功率MOSFET采用TCPAK57封装，设计紧凑高效，具有高散热性能。通过AEC-Q101认证的MOSFET和PPAP适合要求更高电路板级可靠性的汽车应用。
基本参数
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续漏极电流：198 A
Rds On-漏源导通电阻：1.49 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2 V
Qg-栅极电荷：92.2 nC
最小工作温度：- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散：113 W
封装：TCPAK57
特征
• 小尺寸 （5x7 mm），设计紧凑
• 低 RDS（on） 可最大限度地降低导通损耗
• 低 QG 和电容，可最大限度地减少驱动器损耗
• TCPAK57 Top Cool 套餐
• 符合 AEC-Q101 标准并支持 PPAP
• 这些器件不含铅，符合 RoHS 规范
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