NVMFWS2D1N08XT1G是一款单N-通道功率MOSFET，具有80V的漏源电压和181A的连续漏极电流，导通电阻为2.1mohm。该器件采用SO8FL封装，适用于需要高电流处理的电路设计。
产品属性
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：80 V
Id-连续漏极电流：181 A
Rds On-漏源导通电阻：2.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3.6 V
Qg-栅极电荷：53 nC
工作温度：- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散：148 W
通道模式：Enhancement
封装：DFNW-5
配置：Single
下降时间：6 ns
正向跨导 - 最小值：135 S
产品类型：MOSFETs
上升时间：10 ns
系列：NVMFS2D1N08X
型号
品牌
封装
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描述
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