STW35N60DM2 高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有非常低的恢复电荷 （Qrr） 和时间 （trr） 以及低 RDS（on），使其适用于最苛刻的高效率转换器，是桥式拓扑和 ZVS 相移转换器的理想选择。
STW35N60DM2 的规格
产品种类：MOSFET
RoHS： 详细信息
技术：Si
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-247-3
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：600 V
Id-连续漏极电流：28 A
Rds On-漏源导通电阻：110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3 V
Qg-栅极电荷：54 nC
工作温度：- 55°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散：210 W
通道模式：Enhancement
商标名：MDmesh
封装：Tube
商标：STMicroelectronics
配置：Single
下降时间：10.7 ns
产品类型：MOSFETs
上升时间：17 ns
系列：STW35N60DM2
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封装
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描述
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