英飞凌可靠耐用的汽车功率 MOSFET：IAUMN04S7N009G 是一款高性能 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET，专为要求苛刻的汽车应用而设计。该器件通过了超越 AEC-Q101 的扩展认证、增强的电气测试和坚固的设计，可确保在恶劣环境下可靠运行。它的工作温度范围为 -55 至 175°C，MSL2 峰值回流温度高达 260°C，并经过 100% 雪崩测试，因此非常适合一般汽车应用。
特征
8x8 mm2 的低 RDS(on)
高雪崩能力
高 SOA 强度
快速开关时间（开/关）
带铜夹的无引线封装
薄晶圆铜技术
300 毫米内部生产
带长引线的鸥翼封装
优势
8x8 高功率密度
电流能力增强
设计更坚固
良好的开关性能
在 8x8m平方毫米内实现高效冷却
汽车级封装
汽车级生产质量
IMS 的 TCOB 性能高
潜在应用
汽车 BLDC 驱动器
分区结构开关
电池断开
配电
型号
品牌
封装
数量
描述
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb（128M 8 位）并行 NOR Flash 存储器，采用 64-FBGA（1311mm） 封装。电话咨询：86-755-83294757
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