BTS3410G 是英飞凌推出的智能低侧功率开关,采用 HITFET® 技术 和 N沟道垂直功率MOSFET 设计,适用于 12V DC 电源系统中的电阻性、感性和容性负载开关控制。该器件集成双通道输出,提供全面的保护功能(如过载、短路、过压、热关断等),可替代传统电磁继电器和分立电路,广泛应用于汽车电子、工业控制和电源管理等领域。
BTS3410G 特性
热关断 + 自动重启:温度过高时自动关闭,冷却后恢复工作。
过载/短路保护:防止电流超限损坏器件。
ESD 保护(>4kV),增强系统可靠性。
低导通电阻(RDS(on)):200mΩ(典型值),减少功率损耗。
逻辑电平输入(2.2V~10V)
可直接连接 MCU/数字电路,无需额外驱动16。
汽车级可靠性:AEC-Q100 认证,适应 -40°C ~ +150°C 严苛环境。
双通道独立控制:2 路输出,支持 独立开关或并联使用。
符合环保标准:RoHS 兼容,无铅设计。
BTS3410G 应用
特别适用于驱动继电器
适用于各种电阻性、感性及容性负载
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S29GL512S10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…电话咨询:86-755-83294757
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