商品名称：IAUA220N08S5N021
数据手册：
IAUA220N08S5N021.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：PG-HSOF-5-4
货期：全新原装
库存数量：3000 件
IAUA220N08S5N021是一款2.1mR 80V MOSFET，采用sTOLL高功率7x8mm2无引线封装。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。器件用于LED照明以及48V辅助设备，如暖通空调压缩机和安全开关。
产品规格：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7219 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：211W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-5-4
封装/外壳：5-PowerSFN
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装
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