STL33N60DM6 N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢复二极管特性系列的一个产品。与前一代MDmesh技术相比,DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及出色的导通电阻 (RDS(on)), 与行业里最高效的开关特性相结合,非常适合用于效率要求苛刻的桥式拓扑和ZVS(零电压开关)移相转换器。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):140 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):150W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat™(8x8)HV
封装/外壳:8-PowerVDFN
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-TSON-8
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平,采用 PQFN 5x6 降源封装,具有极低的 RDS(on)
INFINEON
PG-TTFN-9
1000
OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 mm2 源降封装,具有业界领先的 RDS(on)
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STM32U073RCT6超低功耗MCU基于Arm Cortex-M0+内核,设计环保,拥有可持续技术标识。电话咨询:86-755-83294757
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