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产品分类

嵌入式和网络处理器

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商品型号:STL33N60DM6

商品名称:STL33N60DM6

品牌:ST

年份:23+

封装:8-PowerVDFN

货期:全新原装

库存数量:2000

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技术参数

制造商
ST
型号
STL33N60DM6
封装
8-PowerVDFN
描述
表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

产品描述

STL33N60DM6 N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢复二极管特性系列的一个产品。与前一代MDmesh技术相比,DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及出色的导通电阻 (RDS(on)), 与行业里最高效的开关特性相结合,非常适合用于效率要求苛刻的桥式拓扑和ZVS(零电压开关)移相转换器。


产品属性

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):140 毫欧 @ 10.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):35 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:PowerFlat™(8x8)HV

封装/外壳:8-PowerVDFN


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描述

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表面贴装型 N 通道 600 V 19 A 125mW(Ta),3W(Tc)PowerFlat™(8x8)HV

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

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