IPTG020N13NM6 是采用 PG-HSOG-8 封装的 OptiMOS™ 6 135V 正常电平功率 MOSFET 晶体管。
特性
与 OptiMOS™ 5 150 V 相比
导通电阻最多可降低 48
栅极阈值电压差降低达 38
反向恢复电荷最多可降低 70
优势
降低系统成本
减少并联需求
降低 VDS 过冲和开关损耗
更高的功率密度设计
应用
电动叉车
低电压
电动滑板车
电动工具
园艺工具
不间断电源
型号
品牌
封装
数量
描述
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CY62157G18-55BVXA 是一款高性能CMOS低功耗(MoBL ) SRAM器件,内置ECC,采用48-ball VFBGA封装。Infineon MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。规格存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 异步存储容…电话咨询:86-755-83294757
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