商品名称：CAB500M17HM3
数据手册：
CAB500M17HM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：1000 件
CAB500M17HM3具有超低损耗，可高频运行，来自 MOSFET 的零关断尾电流，常开、故障安全器件操作。器件实现紧凑、轻便的系统，低开关和传导损耗，提高系统效率和碳化硅的传导损耗，且降低热要求和系统成本。
产品属性
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）：1700V（1.7kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：653A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 500A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 203mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1992nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：64900pF @ 1200V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：模块
应用
● 铁路、牵引和电机驱动器
● 电动汽车充电器
● 高效转换器/逆变器
● 可再生能源
● 智能电网/并网分布式发电
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。
Wolfspeed（纽交所代码：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件，涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半桥模块。HAS310M17BM3 的特点工业标准 62 mm 基底面外壳 CTI ≥ 600（I 类材料）符合 EN45545-2 R22/23 HL3 标准高湿度操作 THB-80 (HV-H3TRB)专为碳化硅优化的低电感设计超低损耗、高频运行常开、故障安全器件操作铜基板和氮化铝绝缘…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块，带预应用热接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳，可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB6R0A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路实…
CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块，带预应用热接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳，可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB7R5A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路…
CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封装、半桥 SiC 功率模块，带预应用热接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特点采用行业标准外形尺寸的领先碳化硅 MOSFET 技术高 CTI 外壳，可降低爬电要求内置 NTC压入式连接提供预涂热接口材料CAB5R0A23GM4T 的优点通过 1500 V 直流电链路实…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有宽爬电距离以及漏极和源极之间的间隙距离(~8mm)。该器件针对高频电力电子应用进行了优化。典型应用包括：可再生能源、照明、高压DC/DC转换器、电信电源和感应加热。C3M0280090J的规格：FET 类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技术的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容高速开关。该款MOSFET采用小型TO-247-3封装。典型应用包括可再生能源、高压直流/直流转换器、开关模式电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。C3M0160120D…电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
