ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模块 ,属于YM系列六单元模块。该模块采用行业标准封装技术,优化电源端子布局,可降低电感并减少过冲电压,同时具备低开关损耗特性。
核心参数
技术:碳化硅(SiC)
配置:6 N 沟道(三相逆变器)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):385A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.5 毫欧 @ 350A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 84mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):848nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25600pF @ 800V
功率 - 最大值:1.1kW(Tj)
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
典型应用
ECB4R3M12YM3适用于汽车牵引逆变器、混合动力电动汽车电机驱动器、可再生能源系统及商业/建筑/农用车辆牵引系统。
型号
品牌
封装
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描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
ECB2R8M12YM3
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C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0021120D 的特点第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管无卤素,符合 RoHS 规范C3M0021120D 的优点降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃…E4M0060075K1
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