商品名称：MSCSM120HRM311AG
品牌：Microchip
年份：24+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：1000 件
MSCSM120HRM311AG 器件是一款 T 型碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块，具有相脚1200V、89A 和双共源 700V、124A。SiC 功率 MOSFET，低 RDS（导通），高温性能，开尔文源，易于驱动。杂散电感低，高效率转换器，高频工作时性能卓越，稳定的温度特性。可直接安装到散热片上（隔离封装），结壳热阻低，符合 RoHS 规范。
产品属性
技术：碳化硅（SiC）
配置：4 个 N 通道（三级反相器）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV），700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：89A（Tc），124A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：31 毫欧 @ 40A，20V，19 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA，2.4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：232nC @ 20V，215nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V，4500pF @ 700V
功率 - 最大值：395W（Tc），365W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
应用
●太阳能逆变器
●三电平逆变器
●不间断电源
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
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