商品名称:CAB650M17HM3
数据手册:CAB650M17HM3.pdf
品牌:Wolfspeed
年份:23+
封装:MODULE
货期:全新原装
库存数量:1000 件
Wolfspeed CAB650M17HM3高性能半桥模块是经过开关优化的全碳化硅低电感半桥模块,尺寸小巧 (110mm x 65mm x 12.2mm)。HM3元件采用经过开关优化的第三代碳化硅MOSFET技术。兼容62mm的轻质ALSiC基板支持系统改造。其他特性包括+175°C工作结温和高可靠性氮化硅绝缘体。HM3高性能半桥模块非常适合用于铁路/牵引、太阳能、电动汽车充电器以及工业自动化/测试应用。
技术特点
• 超低损耗
• 高频运行
• 来自 MOSFET 的零关断尾电流
• 常开、故障安全器件操作
系统优势
• 实现紧凑轻便的系统
• 低开关和传导损耗,提高系统效率 和 SiC 的传导损耗
• 降低热要求和系统成本
CAB650M17HM3的产品属性
技术: 碳化硅(SiC)
配置: 2 N-通道(双)
FET 功能: -
漏源电压(Vdss): 1700V(1.7kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 916A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.86 毫欧 @ 650A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.6V @ 305mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2988nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 97300pF @ 1200V
功率 - 最大值: -
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安装
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