商品名称：WAS530M12BM3
数据手册：
WAS530M12BM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：1000 件
WAS530M12BM3 Wolfspeed 62mm全碳化硅（SiC）半桥模块将碳化硅的系统优势与稳健的低电感布局相结合。得益于SiC的低开关和导通损耗，半桥模块提高了系统效率。这些电源模块采用低电感内部布局，可最大限度地利用电压，并最大限度地减少过冲和振铃。该半桥模块配有用于导热的铜基板，其氮化铝和氮化硅绝缘体可最大限度地降低热阻。
产品属性
技术：碳化硅（SiC）
配置：2 个 N 通道（半桥）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.47 毫欧 @ 530A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 127mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1362nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：38900pF @ 800V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
应用
● 感应加热
● 电机驱动
● 可再生能源
● 铁路辅助和牵引
● 电动汽车快速充电
● UPS 和 SMPS
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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