商品名称：CBB032M12FM3
数据手册：
CBB032M12FM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封装：Module
货期：全新原装
库存数量：1000 件
CBB032M12FM3碳化硅电源模块有半桥、全桥和六组（三相）配置，均可选择预涂HoneywellTM导热界面材料 (TIM)。这些模块适合用于中等功率（10kW至100+kW）的设计，占位面积小，支持开发更紧凑、可扩展的解决方案。这些封装是现有硅基模块的引脚兼容替代品，方便随时进行系统更新。与标准热润滑脂相比，选择带有预涂TIM的WolfPACK模块可将结温 (Tj) 降低高达40°C或将电流增加高达60%。
产品属性
技术：碳化硅（SiC）
配置：4 N 沟道（全桥）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：42.6 毫欧 @ 30A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 11.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：118nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3400pF @ 800V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
应用
● 直流-直流转换器
● 电动汽车充电器
● 高效转换器/逆变器
● 可再生能源
● 智能电网/并网分布式发电
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安装
Microchip
Module
10000
MOSFET - 阵列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安装
Microchip
Module
1000
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安装
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Wolfspeed（纽交所代码：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件，涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻塞电压，低导通电阻高速开关，低电容快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)无卤素，符合 RoHS 规范C3M0060065D 的优点更高的系统效率降低冷却要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术优化封装，具有独立的驱动源引脚漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米高阻断电压，低导通电阻高速开关，低电容快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)无卤素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0021120D 的特点第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻断电压，低导通电阻高速开关，低电容具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管无卤素，符合 RoHS 规范C3M0021120D 的优点降低开关损耗，最大限度地减少栅极振铃…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0060075K1 的特点优化封装，具有独立的驱动源引脚高阻断电压，低导通电阻高速开关，低电容本征二极管速度快，反向恢复 (Qrr) 低无卤素，符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0045075K1 的特点优化封装，具有独立的驱动源引脚高阻断电压，低导通电阻高速开关，低电容本征二极管速度快，反向恢复 (Qrr) 低无卤素，符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半桥、工业级 HV-H3TRB 认证、CTI 600、SiC 功率模块。Wolfspeed HAS模块非常适用于高频 工业应用，如感应加热、轨道/牵引、电机驱动器和电动汽车充电基础设施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源电压（Vdss）：1200V25C 时电流 -…电话咨询：86-755-83294757
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