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嵌入式和网络处理器

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NTMFD5C672NLT1G
ON

产品说明:双 N 沟道,功率 MOSFET,60V,49A,11.9mΩ

封装:8-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS6H801NLT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 80V,2.7mΩ

封装:DFN5
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPF019N12NM6ATMA1

产品说明:全面优化的同类最佳性能晶体管,电压 120 V

封装:PG-TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH45N04LM6ATMA1

产品说明:OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平,采用 PQFN 5x6 降源封装,具有极低的 RDS(on)

封装:PG-TSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH88N06LM5CGATMA1

产品说明:OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 mm2 源降封装,具有业界领先的 RDS(on)

封装:PG-TTFN-9
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPG20N04S4L-08A

产品说明:MOSFET - 阵列 40V 20A 54W 表面贴装型 PG-TDSON-8-4

封装:PG-TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPG20N06S4L-11

产品说明:表面贴装型 双 N 通道 60 V 20A 65W PG-TDSON-8

封装:TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
PCGA3040G2F
ON

产品说明:400V ECOSPARK2 IGN-IGBT DIE

封装:SIP-6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL125N8F7AG
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 80 V 120A(Tc) 167W(Tc) PowerFlat™(5x6)

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL210N4LF7AG
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 120A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat™(5x6)

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL33N60DM6
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL26NM60N
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 19 A 125mW(Ta),3W(Tc)PowerFlat™(8x8)HV

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL28N60DM2
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 140W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL47N60M6
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 31A(Tc) 189W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL57N65M5
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 650 V 4.3A(Ta),22.5A(Tc) 2.8W(Ta),189W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL52N60DM6
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 45A(Tc) 174W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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