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产品说明:N 沟道功率 MOSFET 150V 晶体管
封装:3-WDSON产品说明:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V,采用 TOLT 封装
封装:PG-HDSOP-16产品说明:英飞凌科技 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET
封装:PG-TO252-3-11产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,性能可靠且经济高效
封装:PG-TO247-4-3产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,性能可靠且经济高效
封装:PG-TO247-4-3产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,性能可靠且经济高效
封装:PG-TO247-3产品说明:OptiMOS™ 7 40 V 功率 MOS 技术,采用 5x6 mm2 SS08 无引线封装,具有最高的质量水平和坚固性,适用于汽车应用
封装:PG-TDSON-8产品说明:MOSFET - SiC 功率,单路N 沟道,TO247-3L 650 V、57 m、38 A
封装:TO-247-3产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV
封装:8-PowerVDFN产品说明:表面贴装型 N 通道 20 V 1.2A(Ta) 350mW(Ta),5.43W(Tc) SOT-883
封装:SOT-883产品说明:表面贴装型 N 通道 650 V 27A(Tc) 136.4W(Tc) D2PAK-7
封装:D2PAK-7产品说明:通孔 N 通道 650 V 85A(Tc) 441W(Tc) TO-247-4
封装:TO-247-4产品说明:通孔 N 通道 1200 V 18.4A(Tc) 166.7W(Tc) TO-247-4
封装:TO-247-4产品说明:通孔 N 通道 1200 V 120A(Tc) 789W(Tc) TO-247-4
封装:TO-247-4电话咨询:86-755-83294757
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