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嵌入式和网络处理器

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IAUCN04S7N006

产品说明:汽车 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN04S7L004

产品说明:汽车 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSB165N15NZ3G

产品说明:N 沟道功率 MOSFET 150V 晶体管

封装:3-WDSON
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTC026N12NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V,采用 TOLT 封装

封装:PG-HDSOP-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD30N10S3L34

产品说明:英飞凌科技 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET

封装:PG-TO252-3-11
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA75R090M1H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,性能可靠且经济高效

封装:PG-TO247-4-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA75R027M1H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,性能可靠且经济高效

封装:PG-TO247-4-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R020M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,性能可靠且经济高效

封装:PG-TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN08S7N013

产品说明:OptiMOS™ 7 40 V 功率 MOS 技术,采用 5x6 mm2 SS08 无引线封装,具有最高的质量水平和坚固性,适用于汽车应用

封装:PG-TDSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL075N065SC1
ON

产品说明:MOSFET - SiC 功率,单路N 沟道,TO247-3L 650 V、57 m、38 A

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL33N60DM2
ST

产品说明:表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

封装:8-PowerVDFN
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
PMZ290UNE2

产品说明:表面贴装型 N 通道 20 V 1.2A(Ta) 350mW(Ta),5.43W(Tc) SOT-883

封装:SOT-883
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C065080B7S

产品说明:表面贴装型 N 通道 650 V 27A(Tc) 136.4W(Tc) D2PAK-7

封装:D2PAK-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C065030K4S

产品说明:通孔 N 通道 650 V 85A(Tc) 441W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C120150K4S

产品说明:通孔 N 通道 1200 V 18.4A(Tc) 166.7W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UG3SC120009K4S

产品说明:通孔 N 通道 1200 V 120A(Tc) 789W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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