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光纤模块

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NTBGS6D5N15MC
ON

产品说明:功率 MOSFET 150V 6.5mΩ 单 N 沟道晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVD3055-094T4G-VF01
ON

产品说明:N 沟道功率 MOSFET 60V、12A、94mΩ 晶体管

封装:TO-252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STFW69N65M5
ST

产品说明:N 沟道 MDmesh M5 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-3PF
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW88N65M5
ST

产品说明:N 沟道 650V 24mΩ 84A MDmesh M5 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STWA65N023M9
ST

产品说明:N 沟道 650V 19.9mΩ 92A MDmesh M9 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCH041N65EF-F155
ON

产品说明:功率 MOSFET N 沟道 SUPERFET II FRFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCH041N65F-F085
ON

产品说明:N 沟道 SuperFET II™ FRFET MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RFD12N06RLESM9A
ON

产品说明:N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPF129N20NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 200 V 正常电平,采用 D²PAK 7 引脚封装

封装:D²PAK-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA120JS15

产品说明:底座安装 N 通道 1200 V 31A(Tc) 143W(Tc) SOT-227(ISOTOP®)

封装:SOT-227-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120DAM31CTBL1NG

产品说明:升压斩波器 SiC MOSFET 电源模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2000XTR17IE5

产品说明:1700 V、2000 A 双 IGBT 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STN3P10F6
ST

产品说明:表面贴装型 P 通道 100 V 3A 3.3W SOT-223

封装:SOT-223
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT025W120G3-4AG
ST

产品说明:通孔 N 通道 1200 V 56A(Tc) 388W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT027W65G3-4AG
ST

产品说明:通孔 N 通道 650 V 60A(Tc) 313W(Tc) TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT015W120G3-4AG
ST

产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 15 mΩ,129 A 采用 HiP247-4 封装

封装:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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