商品名称:PMZ290UNE2
数据手册:PMZ290UNE2.pdf
品牌:Nexperia
年份:21+
封装:SOT-883
货期:原装现货
库存数量:10000 件
PMZ290UNE2 N沟道MOSFET是一款增强模式场效应晶体管 (FET),具有低阈值电压和快速开关功能。这些MOSFET有两种型号,分别为2kV HBM和大于2kV HBM静电放电保护这两种型号。PMZ290UNE2 MOSFET采用1.0mm × 0.6mm x 0.48mm无引线小型DFN1006-3 (SOT883) SMD塑料封装,并采用沟槽式MOSFET技术。应用包括继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路。
产品属性
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-1006-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 320 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Qg-栅极电荷: 800 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 715 mW
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
单位重量: 0.800 mg
应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低压侧负载开关
开关电路
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
安世半导体(中国)有限公司 Nexperia是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商。公司于2017年初独立。Nexperia极为重视效率,生产大批量性能可靠稳定的半导体元件,每年生产1,000多亿件性能可靠稳定的半导体元件。公司拥有丰富的产品组合,能够满足汽车…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二极管用于超高性能、低损耗、高效率的功率转换应用。该 SiC 肖特基二极管封装在 TO-263-2 通孔功率塑料封装中,具有不受温度影响的电容关断、零恢复开关特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特点零正向和反向恢复降低系统成本与温度无关的快速平稳开关…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二极管用于超高性能、低损耗、高效率的功率转换应用。该 SiC 肖特基二极管封装在 TO-247-2 通孔功率塑料封装中,具有不受温度影响的电容关断、零恢复开关特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特点零正向和反向恢复降低系统成本与温度无关的快速平稳开关…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒装封装,具有低电感、低开关损耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的规格:FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):58.5A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212封装。该器件采用无引线接合,可优化散热和电气性能,提供共源共栅配置,无需复杂的驱动器和控制。GAN039-650NBBHP的规格:FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ双向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常闭emode FET,具有出色的性能。特性:增强模式-常关电源开关双向器件超高开关速度能力超低导通电阻符合RoHS指令,无铅,符合REACH标准高效率和高功率密…GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化镓 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常闭电子模式器件,具有出色的性能和非常低的导通电阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平无引线封装 (VQFN)。特性:增强模式-常关电源开关超高频开关能力无体二极…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: