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STL33N60DM2一款N沟道600 V、0.115 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装。

产品属性

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 600 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 140 毫欧 @ 10.5A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±25V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V   

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

供应商器件封装： PowerFlat™（8x8）HV  

封装/外壳： 8-PowerVDFN

应用

交换应用

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。