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UG3SC120009K4S碳化硅场效应晶体管器件采用独特的 "级联 "电路配置。该器件采用独特的 "级联 "电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常关型 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT 的真正 "直接替代品"。该器件采用 TO-247-4L 封装，具有超低栅极电荷和优异的反向恢复特性、使其成为开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（共源共栅 SiCJFET）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11毫欧 @ 100A，12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：234 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8512 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：789W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4

封装/外壳：TO-247-4

应用

● 电动汽车充电

● 光伏逆变器

● 开关电源

● 功率因数校正模块

● 电机驱动

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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