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产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 75 mΩ,33 A 采用 HiP247-4 封装
封装:TO-247-4产品说明:汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V,典型值 63 mΩ,30 A 采用 HiP247-4 封装
封装:TO-247-4产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 134W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装:5-DFN产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 373A(Tc) 188W(Tc) PowerFlat™(5x6)
封装:8-PowerVDFN产品说明:通孔 N 通道 150 V 112A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3
封装:TO-220-3产品说明:采用 TO-247 封装的 60V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET
封装:TO-247-3产品说明:N 沟道 75V 功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-220-3产品说明:N 沟道 150V 功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-220-3产品说明:N 沟道 250V 功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-220-3产品说明:N 沟道 80V 功率 MOSFET 晶体管
封装:TO-220-3产品说明:Infineon Technologies 75V至100V N通道汽车用MOSFET
封装:TO-220-3产品说明:英飞凌科技 OptiMOS™ 7 功率 MOSFET
封装:8-PowerTDFN产品说明:N 沟道功率 MOSFET 40V 晶体管
封装:TSDSON-8电话咨询:86-755-83294757
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