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AI 处理器

电阻器网络

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操作

IPDQ60R020CFD7

产品说明:600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管,PG-HDSOP-22

封装:PG-HDSOP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPF129N20NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 200 V 正常电平,采用 D²PAK 7 引脚封装

封装:PG-TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2000XTR17IE5

产品说明:1700 V、2000 A 双 IGBT 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP076N15N5

产品说明:通孔 N 通道 150 V 112A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3

封装:TO-220-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFP3006PBF

产品说明:采用 TO-247 封装的 60V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFB5615PBF

产品说明:N 沟道 150V 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFB4229PBF

产品说明:N 沟道 250V 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP034N08N5

产品说明:N 沟道 80V 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP70N10S3L12

产品说明:Infineon Technologies 75V至100V N通道汽车用MOSFET

封装:TO-220-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN04S7N015

产品说明:英飞凌科技 OptiMOS™ 7 功率 MOSFET

封装:8-PowerTDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSZ105N04NSG

产品说明:N 沟道功率 MOSFET 40V 晶体管

封装:TSDSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN10S5L094D

产品说明:汽车 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TDSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP70N12S311

产品说明:120V、N-Ch、最大 11.3 mΩ、汽车 MOSFET、TO-220、OptiMOS™-T

封装:TO-220-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD088N06N3G

产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3

封装:TO-252-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFP3077PBF

产品说明:采用 TO-247 封装的 75V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFP4332PBF

产品说明:采用 TO-247 封装的 250V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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