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AI 处理器

电阻器网络

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NVMFS5C670NLAFT1G
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V 17A(Ta) 61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装:5-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL020N120SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,20 mohm,1200 V,M1,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS005N10MCLT1G
ON

产品说明:MOSFET MOSFET - 功率,单路,N 沟道 100 V,5.1 欧姆,108A DFN5

封装:5-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG020N120SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、20 mohm、1200 V、M1、D2PAK-7L

封装:D2PAK-7
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS0D8N03CT1G
ON

产品说明:MOSFET,功率,单 N 沟道,30V,SO-8FL

封装:8-PowerTDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMYS2D4N04CTWG
ON

产品说明:N 沟道 40 V 30A(Ta),138A(Tc) 3.9W(Ta),83W(Tc) 表面贴装

封装:LFPAK4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS3D6N10MCLT1G
ON

产品说明:MOSFET 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V、131 A、3.6mohm

封装:5-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL020N090SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道- EliteSiC,20 mohm,900 V,M2,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS3D6N10MCLT1G
ON

产品说明:MOSFET 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V、131 A、3.6mohm

封装:8-PowerTDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMYS1D3N04CTWG
ON

产品说明:N 沟道 40 V 43A(Ta),252A(Tc) 3.9W(Ta),134W(Tc) 表面贴装

封装:LFPAK4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL160N120SC1
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,160 mΩ,1200 V,M1,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMTSC4D3N15MC
ON

产品说明:N 沟道 150 V 23A(Ta),165A(Tc) 5W(Ta),292W(Tc) 表面贴装,可湿性侧面

封装:8-TDFNW
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL067N65S3H
ON

产品说明:通孔 N 通道 650 V 40A(Tc) 266W(Tc) TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMTS0D7N06CLTXG
ON

产品说明:N 沟道 60 V 62.2A(Ta),477A(Tc) 5W(Ta),294.6W(Tc) 表面贴装

封装:8-DFNW
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL095N65S3H
ON

产品说明:通孔 N 通道 650 V 30A(Tc) 208W(Tc) TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBLS1D5N08MC
ON

产品说明:N 沟道 80 V 32A(Ta),298A(Tc) 2.9W(Ta),250W(Tc) 表面贴装

封装:8-HPSOF
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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