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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

品牌:

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RGS30NL65DHRBTL

产品说明:IGBT 晶体管,8 秒短路容差,650V 15A

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65DHRBTL

产品说明:650V 40A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80NL65HRBTL

产品说明:650V 40A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW60NL65HRBTL

产品说明:650V 30A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW50NL65DHRBTL

产品说明:650V 25A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40NL65DHRBTL

产品说明:650V 20A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW40TK65DGVC11

产品说明:650V 20A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-3PFM
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TS65CHRC11

产品说明:内置 SiC-SBD 的 650V 50A 混合型 IGBT 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGWX5TS65EHRC11

产品说明:650V 75A 现场截止沟槽式 IGBT 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2GC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH80TK65GC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM

封装:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH50TK65DGC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 26 A 59 W 通孔 TO-3PFM

封装:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGCL60TS60DGC13

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 48 A 111 W 通孔 TO-247G

封装:TO-247G
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH50TS65DGC13

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 50 A 174 W 通孔 TO-247G

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH00TS65GC13

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BD71850MWV-E2

产品说明:PMIC - 稳压器 - 线性 切换式 12 输出 降压(6),线性(LDO)(6) 2MHz UQFN56BV7070

封装:56-VFQFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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