RGW80NL65DHRBTL是 650V 40A 场截止沟槽式 IGBT 晶体管。
特性
通过 AEC-Q101 认证
集电极-发射极饱和电压低
低开关损耗和软开关
内置快速软恢复 FRD
无铅镀铅;符合 RoHS 规范
应用
汽车
板载和板外充电器
直流-直流转换器
全功率变流器
工业逆变器
型号
品牌
封装
数量
描述
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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,总部所在地设在日本京都市,ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
RGS50TSX2DGC11
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RGWX5TS65HRC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。特性● 低集极-射极饱和电压● 高速转换● 低开关损耗和软开关…RGW00TS65DHRC11
RGW00TS65DHRC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。特性● 低集极-射极饱和电压● 高速转换● 低开关损耗和软开关● …RGS50TSX2GC11
RGS50TSX2GC11场终止沟槽型IGBT是10s SCSOA(短路安全工作区)保证绝缘栅极双极晶体管,适合用于通用逆变器、UPS、PV逆变器和功率调节器应用。具有低导通损耗,有助于减小尺寸,提高效率。产品属性IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电…RGTV00TK65DGC11
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