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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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IMBG65R072M1H

产品说明:SMD紧凑型封装SiC MOSFET

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R060M1H

产品说明:采用TO247-3封装的1200V CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET

封装:TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R350M1H

产品说明:采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1H

产品说明:采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R072M1H

产品说明:650V CoolSiC™ MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,性能可靠且经济高效

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R107M1H

产品说明:650V CoolSiC™ M1 SiC 沟槽功率器件

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R030M1H

产品说明:650V CoolSiC™ M1 SiC 沟槽功率器件

封装:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R163M1H

产品说明:SMD紧凑型封装SiC MOSFET

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R083M1H

产品说明:SMD紧凑型封装SiC MOSFET

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R450M1

产品说明:采用TO-263-7封装的1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD40G120C5XKSA1

产品说明:二极管 1200 V 110A 通孔 PG-TO247-2

封装:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD30G120C5XKSA1

产品说明:二极管 1200 V 87A 通孔 PG-TO247-2

封装:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD20G120C5XKSA1

产品说明:二极管 1200 V 62A 通孔 PG-TO247-2

封装:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD15G120C5XKSA1

产品说明:二极管 1200 V 49A 通孔 PG-TO247-2

封装:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD10G120C5XKSA1

产品说明:二极管 1200 V 34A 通孔 PG-TO247-2

封装:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDK20G120C5XTMA1

产品说明:二极管 1200 V 56A 表面贴装型 PG-TO263-2-1

封装:TO-263-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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