商品名称:IDWD15G120C5XKSA1
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-247-2
货期:全新原装
库存数量:3000 件
IDWD15G120C5XKSA1 器件是1200V第五代CoolSiC™肖特基二极管,它采用TO-247 真2脚封装,可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7mm爬电距离和电气间隙,在高度污染的环境下可带来更高的安全性。
产品规格:
技术:SiC(碳化硅)肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
电流 - 平均整流 (Io):49A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.65 V @ 15 A
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr):0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:124 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容:1050pF @ 1V,1MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-2
供应商器件封装:PG-TO247-2
工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
基本产品编号:IDWD15
应用领域:
不间断电源(UPS)
电动汽车快速充电
电源
太阳能系统解决方案
型号
品牌
封装
数量
描述
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IPB180N04S4L-H0 是英飞凌推出的一款 N沟道功率MOSFET,属于 OptiMOS™ T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封装。电话咨询:86-755-83294757
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