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AI 加速器

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IPZ65R019C7

产品说明:650V 75A CoolMOS™ C7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP60R040C7

产品说明:600 V 50A CoolMOS™ C7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF3MR12KM1HP

产品说明:1200V CoolSiC™ MOSFET 半桥模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF225R65T3E3

产品说明:6500V 225 A 双 IGBT 模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FZ1000R45KL3

产品说明:4500V 1000A 单开关 IGBT 模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FZ1800R45HL4

产品说明:4500V 1800A 单开关 IGBT 模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FP75R17N3E4

产品说明:三相 1700V 150A IGBT 模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FD300R17KE4P

产品说明:1700 V、300 A 斩波器 IGBT 模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R060M1H

产品说明:1200V、60mΩ、CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 晶体管、TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DDB6U50N16W1RP

产品说明:1600 V、50 A EasyBRIDGE 模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FP25R12KT3

产品说明:1200V,25A,EconoPIM™ 三相输入整流 IGBT模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DDB2U60N12W3RF

产品说明:EasyBRIDGE™ 1200 V 整流器桥式模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FP40R12KE3

产品说明:1200V,40A,EconoPIM™ 三相输入整流 IGBT模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12IE4P

产品说明:1200V,900A,PrimePACK™ 2 半桥双IGBT 模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD170N36K

产品说明:34 mm 压力触点技术 3600 V 二极管模块

封装:模块
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF300R17ME7

产品说明:EconoDUAL™ 3 模块——1700V、300A 双 TRENCHSTOP™ IGBT7 模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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