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深圳市明佳达电子有限公司

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AI 处理器

电阻器网络

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STB37N60DM2AG
ST

产品说明:N 沟道 600V 28A (Tc) 210W (Tc) 表面贴装 TO-263 (D2PAK)

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE4973R120T5S0010XUMA1

产品说明:电流传感器 1 通道 霍尔效应 8-PowerTDFN

封装:PG-TISON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CR95HF-VMD5T
ST

产品说明:13.56-MHz 多协议非接触式收发器集成电路,具有 SPI 和 UART 串行访问功能

封装:VFQFPN-32
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL8DN6LF6AG
ST

产品说明:MOSFET 汽车级双 N 沟道 60V,27mOhm

封装:8-PowerVDFN
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS5C612NLT1G-UIL5
ON

产品说明:单 N 沟道功率 MOSFET 60V, 196A, 1.5mΩ 晶体管

封装:5-DFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE4973R050T5US0010XUMA1

产品说明:电流传感器 1 通道 霍尔效应 8-PowerTDFN

封装:PG-TISON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ST8500TR
ST

产品说明:可编程电源线通信调制解调器片上系统

封装:QFN-56
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STH315N10F7-6
ST

产品说明:N 沟道 100V 180A (Tc) 315W (Tc) 表面贴装 H2PAK-6

封装:TO-263-7
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS4C020NT1G
ON

产品说明:单 N 沟道功率 MOSFET 30V、303A、0.9mΩ 晶体管

封装:5-DFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE4973R025T5S0010XUMA1

产品说明:电流传感器 1 通道 霍尔效应 8-PowerTDFN

封装:PG-TISON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BLUENRG-248
ST

产品说明:蓝牙低功耗无线单芯片

封装:QFN-48
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ST25TV02KC-TFH3
ST

产品说明:RFID 阅读器/应答器 IC 13.56MHz ISO 15693,NFC 5-UFDFN

封装:UFDFN-5
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS6H858NLT1G
ON

产品说明:功率 MOSFET 80V 32A 20.7mOhm 单 N 沟道晶体管

封装:5-DFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ST25R3911B-AQFT
ST

产品说明:RFID 阅读器 IC 13.56MHz ISO 14443,NFC SPI 2.4V ~ 5.5V 32-VFQFN 裸露焊盘

封装:VFQFN-32
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMYS2D4N04CTWG
ON

产品说明:功率 MOSFET 40V 2.4Ω 130A 单 N 沟道晶体管

封装:LFPAK4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE4973RE35D5S0001XUMA1

产品说明:电流传感器 1 通道 霍尔效应 16-TSSOP(0.154",3.90mm 宽)

封装:PG-TDSO-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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