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NTMFS4C020NT1G 是功率 MOSFET 30V、0.9 mΩ、303A、单 N 沟道晶体管。

产品属性：

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏极至源极电压 (Vdss):30 V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：47A (Ta)，303A (Tc)

驱动电压（最大 Rds 导通，最小 Rds 导通）：4.5V，10V

Rds On（最大）@ Id，Vgs：0.7mOhm @ 30A，10V

栅极电荷（Qg）（最大值）@ Id：2.2V @ 250µA

栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：139 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds：10144 pF @ 15 V

功率耗散（最大值）：3.2W (Ta)，134W (Tc)

工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型：表面贴装

特点

占用空间小（5x6 毫米），适合紧凑型设计

低 RDS(on)，将传导损耗降至最低

低 QG 和电容，将驱动器损耗降至最低

符合 RoHS 规范

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。