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Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT针对开关>60kHz进行了优化，以提供最佳效率，弥补MOSFET和IGBT之间的差距。与目前领先解决方案相比，F5系列显著降低了开关损耗。目标拓扑为不间断电源 (UPS)、逆变焊机和开关电源 (SMPS) 等应用中常见的升压级、PFC（交流-直流）级和高压直流-直流拓扑。650V TRENCHSTOP™ 5 F5 IGBT与碳化硅二极管共同针对低电感设计，提供的效率比650V TRENCHSTOP™ 5 H5系列高出1%。F5产品需要的设计工作更多，但回报也更高。

AIKB50N65DF5ATMA1 器件属性：

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

封装 / 箱体: TO-263-3

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.6 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流: 80 A

Pd-功率耗散: 305 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: Trenchstop IGBT5 F5

商标名: TRENCHSTOP

应用

板外充电器

板载充电器

DC/DC转换器

功率因数校正

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