IKW40N65H5高速 650 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中,被定义为 “同类最佳 ”IGBT。
功能和优点:
高速 H5 技术提供
在硬交换和谐振拓扑中实现最高效率
插拔式替换上一代 IGBT
650V 击穿电压
低门限充电 QG
采用 RAPID1 快速和软并联二极管封装的IGBT
最高结温 175°C
通过 JEDEC 目标应用认证
无铅镀层;符合 RoHS 标准
产品规格
产品种类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 74 A
Pd-功率耗散: 250 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP 5 H5
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
商标名:TRENCHSTOP
应用:
太阳能转换器
不间断电源
焊接转换器
中高频开关变频器
型号
品牌
封装
数量
描述
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BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 彰显出先进的技术,封装的工作温度也随之改善。电话咨询:86-755-83294757
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