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BSC020N03MSG是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 OptiMOS™ 技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷，封装形式为 TDSON-8（5x6mm），适用于多种高效功率应用。

BSC020N03MSG 产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 25 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 60 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

配置: Single

下降时间: 14 ns

正向跨导 - 最小值: 60 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFETs

上升时间: 14 ns

系列: OptiMOS 3M

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 36 ns

典型接通延迟时间: 27 ns

BSC020N03MSG 优点

延长电池寿命

改善 EMI 性能，使外部缓冲网络不再适用

节省成本

节省空间

减少功率损耗

潜在应用

板载充电器

笔记本电脑

主板

直流-直流

VRD/VRM

电机控制

发光二极管

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