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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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操作

NXVF6532M3TG01
ON

产品说明:EliteSiC 功率 MOSFET 模块 650 V,32 m H 桥

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600D12P4G103

产品说明:1200V, 567A, 内置半桥沟槽MOS的全SiC功率模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH004P120M3F2PNG
ON

产品说明:SiC M3 MOSFET 模块、1200 V、2 Pack半桥拓扑、F2封装,带Si3N4 DBC

封装:PIM-36
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P90MNF1PG
ON

产品说明:10 mΩ SiC M2 MOSFET,900 V,2-PACK半桥拓扑, F1封装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH010P120M3F1PG
ON

产品说明:10 mohm SiC M3S MOSFET 模块,1200 V,2-PACK半桥拓扑,F1封装

封装:PIM-18
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH008P120M3F1PG
ON

产品说明:8 mΩ SiC M3S MOSFET 模块,1200 V,2-PACK半桥拓扑,F1封装

封装:PIM-18
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH008P120M3F1PTG
ON

产品说明:8 mΩ SiC M3S MOSFET 模块,1200 V,2-PACK半桥拓扑,F1封装

封装:PIM-18
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120X10CTYZBNMG

产品说明:1200V、HPD、三相桥 + 驱动全选项混合动力驱动 mSiC™ MOSFET 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH040F120MNF1PG
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - 1200V,40mohm,SiC MOSFET 模块

封装:PIM-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC40SM120JCU2

产品说明:SiC MOSFET 模块 N 通道 1200 V 55A(Tc) 245W(Tc) SOT-227(ISOTOP®)

封装:SOT-227
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM31TBL1NG

产品说明:SiC MOSFET 模块 1200V 79A 310W 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM70HM05AG

产品说明:SiC MOSFET 模块 700V 349A(Tc) 966W(Tc) 底座安装

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120AM50T1AG

产品说明:1200V 相脚 SiC MOSFET 电源模块

封装:SP1F
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120HM50T3AG

产品说明:1200V 全桥 SiC MOSFET 模块

封装:SP3F
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM170TLM45C3AG

产品说明:1700V 三级逆变器 SiC MOSFET 模块

封装:SP3F
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120TLM50C3AG

产品说明:1200V 三级逆变器 SiC MOSFET 模块

封装:SP3F
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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