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MSCSM120AM31TBL1NG是一款1200V、79A无基板SiC MOSFET 模块。典型应用包括：高可靠性电源系统、高效交流/DC和DC/交流转换器和电机控制。

MSCSM120AM31TBL1NG器件的主要特性如下:

• 高效转换器

• 高频工作时的出色性能

• 直接安装到散热器上(隔离封装)

• 低结至散热器热阻

• 用于电源和信号的可焊接端子，便于PCB安装

• 高度集成的电源转换系统

• 低调

• 符合RoHS标准

MSCSM120AM31TBL1NG的规格：

技术：碳化硅（SiC）

配置：2 N 沟道（相角）

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：79A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：31 毫欧 @ 40A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：232nC @ 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V

功率 - 最大值：310W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：-

基本产品编号：MSCSM120

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