NXH010P120M3F1PG - SiC MOSFET 模块 - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：NXH010P120M3F1PG

商品名称：SiC MOSFET 模块

品牌：ON

年份：24+

封装：PIM-18

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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技术参数

制造商

型号

NXH010P120M3F1PG

封装

PIM-18

描述

10 mohm SiC M3S MOSFET 模块，1200 V，2-PACK半桥拓扑，F1封装

产品描述

NXH010P120M3F1PG 是一个功率模块，包含 10 m/1200 V SiC MOSFET 半桥和一个热敏电阻，采用 F1 封装。

规格：

晶体管极性：N-Channel

通道数量：2 Channel

Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV

Id-连续漏极电流：105 A

Rds On-漏源导通电阻：14.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4.4 V

封装 / 箱体：PIM-18

工作温度：- 40°C 至 + 150°C

Pd-功率耗散：272 W

封装：Tray

商标：onsemi

配置：Half-Bridge

下降时间：15 ns

高度：12.35 mm

长度：63.3 mm

产品类型：MOSFET Modules

上升时间：15 ns

典型应用：

• 太阳能逆变器

• 不间断电源

• 电动汽车充电站

• 工业动力

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。