NXH010P120M3F1PG 是一个功率模块，包含 10 m/1200 V SiC MOSFET 半桥和一个热敏电阻，采用 F1 封装。
规格：
晶体管极性：N-Channel
通道数量：2 Channel
Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV
Id-连续漏极电流：105 A
Rds On-漏源导通电阻：14.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.4 V
封装 / 箱体：PIM-18
工作温度：- 40°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散：272 W
封装：Tray
商标：onsemi
配置：Half-Bridge
下降时间：15 ns
高度：12.35 mm
长度：63.3 mm
产品类型：MOSFET Modules
上升时间：15 ns
典型应用：
• 太阳能逆变器
• 不间断电源
• 电动汽车充电站
• 工业动力
型号
品牌
封装
数量
描述
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