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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:RMLV1616AGBG-4U2

商品名称:SRAM 存储器

品牌:Renesas

年份:25+

封装:DFN-12

货期:全新原装

库存数量:2000

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技术参数

制造商
Renesas
型号
RMLV1616AGBG-4U2
封装
DFN-12
描述
16Mbit 异步 SRAM 存储器 IC

产品描述

RMLV1616AGBG-4U2 是一个 16-Mbit 异步 SRAM 系列,具有 1,048,576 字 × 16 位。


RMLV1616AGBG-4U2 采用独特的先进 LPSRAM 技术,与采用片上 ECC 的典型 SRAM 相比,具有更高的软抗错能力。因此,它适用于电池备份系统。


它采用 48 球精细间距球栅阵列。


RMLV1616AGBG-4U2 的特点

超低待机电流消耗:

- ~25°C: 0.5μA(典型值)/3μA(最大值)

- ~85°C: 4.5μA(典型值)/8μA(最大值)

高速访问时间: 45ns/55ns(最大值)

与带片上 ECC 的典型 SRAM 相比,具有更高的软错误抗扰度(< 0.04 FIT/Mb)*1

单路 3V 电源: 2.7V 至 3.6V

1,048,576 字 × 16 位(48 引脚 TSOP (I) 也可配置为 2,097,152 字 × 8 位)

通过 CS1# 和 CS2 可轻松扩展存储器

无时钟、无刷新

通用数据输入和输出

- 三态输出

直接与 TTL 兼容

- 所有输入和输出

备用电池操作

采用无铅和 RoHS 适用封装


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