CY7C2644KV18-333BZXI 是 1.8 V 同步流水线 SRAM,采用 QDR II+ 架构。
CY7C2644KV18-333BZXI 的特性
独立的读写数据端口
支持并发事务
250 MHz 高带宽时钟
双字突发可降低地址总线频率
读写端口上的双倍数据速率 (DDR) 接口(数据传输速率为 500 MHz),频率为 250 MHz
提供 2.0 个时钟周期的延迟
两个输入时钟,用于精确的 DDR 时序
SRAM 仅使用上升沿
回波时钟简化了高速系统中的数据捕获
数据有效引脚 (QVLD) 在输出端指示有效数据
片上终止 (ODT) 功能
单多路复用地址输入总线锁存读写端口的地址输入
用于深度扩展的独立端口选择
当 DOFF 为高电平时,四倍数据速率 II+ 的读取延迟为 2.0 个周期
操作类似于 QDR I 器件,当 DOFF 为低电平时,读取延迟为一个周期
核心 VDD = 1.8 V± 0.1 V;I/O VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持 1.5 V 和 1.8 V I/O 电源
高速收发器逻辑 (HSTL) 输入和可变驱动 HSTL 输出缓冲器
以 165 球 CCGA(21 × 25 × 2.83 毫米)提供
兼容 JTAG 1149.1 的测试访问端口
锁相环 (PLL),用于准确放置数据
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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