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描述

NVMFWS1D5N08XT1G

ON

DFNW-5

3000

80V，253 A，1.5 mΩ 单N沟道功率 MOSFET

IPT026N12NM6

INFINEON

PG-HSOF-8

1680

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V，采用 TOLL 封装

IQD020N10NM5CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1680

N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02

IQD020N10NM5SC

INFINEON

PG-WHSON-8

1680

N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02

IQD016N08NM5SC

INFINEON

PG-WHSON-8

1680

OptiMOS™ 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封装，具有极低的 RDS(on)。

IQD016N08NM5CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1680

OptiMOS™ 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装，具有极低的 RDS(on)

IQD009N06NM5SC

INFINEON

PG-WHSON-8

1680

N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02

IQDH88N06LM5CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1680

OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)

IQD009N06NM5CGSC

INFINEON

PG-WHTFN-9

1680

N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02

IQDH88N06LM5SC

INFINEON

PG-WHSON-8

1680

OptiMOS™ 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)