GS-065-018-2-L-MR - GaN HEMT – 氮化镓晶体管 - 深圳市明佳达电子有限公司

图片仅供参考，请参阅产品规格

< >

商品型号：GS-065-018-2-L-MR

商品名称：GaN 晶体管

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PDFN 8x8

货期：全新原装

库存数量：1250 件

数量:

在线询价

联系人：

联系邮箱：

联系电话：

公司名称：

制造商

INFINEON

型号

GS-065-018-2-L-MR

封装

PDFN 8x8

描述

GaN 场效应晶体管 650V，18A，GaN E-模式，8x8 PDFN，底部冷却

GS-065-018-2-L-MR是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。采用 8x8 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或服务器和数据中心应用所需的理想功耗。

GS-065-018-2-L-MR——表面贴装型 N 通道 650 V 18A（Tc） 8-PDFN（8x8）

FET 类型： N 通道

技术： GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 @ 5.5A，6V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 4.8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC @ 6 V

Vgs（最大值）： +7V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 132 pF @ 400 V

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装： 8-PDFN（8x8）

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
2.公司商品都是原装正品吗？

答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
4.我可以通过公司网站进行询价吗？

答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
5.下单后什么时候能发货？多久能到？

答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
6.公司能开发票吗？

答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。